特許
J-GLOBAL ID：201303071441996287
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157616
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349397
特許番号：特許第4750238号
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 活性層をn型クラッド層およびp型クラッド層により挟んだ構造を有し、上記活性層、上記n型クラッド層および上記p型クラッド層は窒化物系III-V族化合物半導体からなり、
上記活性層がGaInNを量子井戸層とし、
上記活性層と上記p型クラッド層との間にp型Al0.2 Ga0.8 Nからなるp型AlGaNキャップ層が設けられ、
上記p型クラッド層が、互いにバンドギャップの異なるBx Aly Gaz In1-x-y-z N(ただし、0≦x,y,z≦1、0≦x+y+z≦1)からなる2以上の半導体層により構成され、かつ、上記p型クラッド層の上記活性層側の部分が他の部分に比べてバンドギャップの大きい上記半導体層により構成されている半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01S 5/00 ( 200 6.01)
H01L 33/00 186
, H01S 5/00
