特許
J-GLOBAL ID：201303071558789860
オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, 久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-506561
公開番号（公開出願番号）：特表2013-527605
出願日： 2011年03月28日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：
オプトエレクトロニクスデバイス(1)は担体(2)と、少なくとも1つの半導体チップ(3)とを有している。半導体チップ(3)は担体(2)上に配置されており、一次ビーム(6)を放射するように構成されている。半導体チップ(3)は、少なくとも部分的に、少なくとも部分的に透明な媒体(7)を包囲している。この媒体(7)は、担体(2)上方の高さ(8)と、担体(2)に沿った幅(9)を有している。媒体(7)内に粒子(10、11)が入れられている。この粒子は一次ビームと相互作用する。媒体(7)の高さ(8)と幅(9)の比は1よりも大きい。
請求項（抜粋）：
オプトエレクトロニクスデバイス(1)であって、
・担体(2)と、
・少なくとも1つの半導体チップ(3)と、
・少なくとも部分的に透明な媒体(7)と、
・当該媒体(7)内に入れられている粒子(10、11)とを有しており、
前記半導体チップ(3)は、前記担体(2)上に配置されており、一次ビーム(6)を放射し、
前記媒体(7)は、前記半導体チップ(3)を少なくとも部分的に包囲しており、前記担体(2)上方の高さ(8)と前記担体(2)に沿った幅(9)を有しており、
前記粒子(10、11)は、前記一次ビーム(6)と相互作用し、
前記媒体(7)の前記高さ(8)と前記幅(9)の比は1よりも大きい、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
IPC (3件)：
H01L 33/60
, H01L 33/54
, H01L 33/50
H01L33/00 432
, H01L33/00 422
, H01L33/00 410
5F142AA13
, 5F142AA23
, 5F142AA63
, 5F142AA76
, 5F142BA02
, 5F142BA03
, 5F142BA32
, 5F142CA03
, 5F142CB14
, 5F142CB23
, 5F142CD02
, 5F142CE04
, 5F142CE08
, 5F142CE16
, 5F142CE17
, 5F142CE18
, 5F142CE32
, 5F142CG05
, 5F142CG32
, 5F142CG43
, 5F142DA02
, 5F142DA12
, 5F142DA43
, 5F142DA44
, 5F142DA45
, 5F142DA73
, 5F142DB16
, 5F142DB18
, 5F142DB30
, 5F142FA18
, 5F142FA21
, 5F142GA11
, 5F142GA21
, 5F142HA03
