特許
J-GLOBAL ID：201303071879277054
Ga2O3系単結晶の成長方法及びGa2O3系基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-275878
公開番号（公開出願番号）：特開2013-124216
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：
【課題】加工時の原料効率に優れたGa2O3系単結晶の成長方法及びGa2O3系基板の製造方法を提供する。【解決手段】一実施の形態において、ダイ14のスリットから溢出するGa2O3系融液12に種結晶20を接触させる工程と、種結晶20を引き上げ、板状のGa2O3系単結晶25を成長させる工程と、を含むGa2O3系単結晶の成長方法を提供する。ダイ14は、スリットの長手方向に垂直な断面が上部にV字状の窪みを有する形状を有し、その窪みのV字開き角は、150°以上、180°未満である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ダイのスリットから溢出するGa2O3系融液に種結晶を接触させる工程と、
前記種結晶を引き上げ、板状のGa2O3系単結晶を成長させる工程と、
を含み、
前記ダイは、前記スリットの長手方向に垂直な断面が上部にV字状の窪みを有する形状を有し、
前記窪みのV字開き角は、150°以上、180°未満である、
Ga2O3系単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4G077AA02
, 4G077BB10
, 4G077CF03
, 4G077EG01
, 4G077PK05
