半導体装置およびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289853
特許番号：特許第4909465号
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ソース領域とドレイン領域とで挟まれるチャネル領域を絶縁ゲート電極により制御する絶縁ゲート駆動型素子を有する半導体装置であって、前記チャネル領域を形成するチャネル拡散領域上にソース領域が形成される部分を少なくとも有し、前記絶縁ゲート電極を含めた前記半導体層の表面に設けられる絶縁膜に形成されるコンタクト孔を介して前記ソース領域表面に接続されるソース電極が金属膜により形成される構造であり、前記コンタクト孔が1辺を1μm以下の大きさに形成されることにより、前記ソース電極の金属が前記ソース領域および前記チャネル拡散領域内に1本のスパイクとして入り込んで半導体層との合金層が形成され、該合金層を介して前記ソース電極が前記ソース領域および前記チャネル拡散領域との両方にオーミックコンタクトされてなる半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/12 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭58-138076
特開平1-235277
特開昭64-004074

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