酸化層及びシリコン層のインサイチュウ成長

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木澤史彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-527689
特許番号：特許第4851647号
出願日： 1999年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコン成長リアクターであって、反応ガス吸入口と反応ガス排出口との間でガス流路を形成する反応ガス吸入口と反応ガス排出口とを有し、エピタキシャルシリコン層成長のための状態を確立するように構成されたコールドウォール型枚葉式基板化学気相成長反応チャンバーと、前記反応チャンバーのガス流路内で基板を支持するサポートと、エピタキシャルシリコン成長中、キャリアガスとして前記反応チャンバーを貫流するのに適する水素ガスソースと、シリコンを含有するガスソースと、シリコン層からシリコン酸化層を熱成長させるのに適する気体状酸化剤ソースであって、種々の濃度の水素の存在下で、爆発しない程度の量で非反応性ガスで含有率が低くなった酸素を保管する容器を備える気体状酸化剤ソースと、ガスソースを前記反応チャンバーへ接続するガスラインと、前記反応チャンバー内の基板をシリコン含有ガスにさらして前記基板上にシリコン含有エピタキシャル層を形成し、続いて前記反応チャンバー内のシリコン含有ガスの流れを停止させて前記反応チャンバー内のエピタキシャル層を前記酸化剤及び水素ガスに曝すようプログラムされたコントローラと、を備えるシリコン成長リアクター。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/31 E

引用特許：

審査官引用 (14件)

枚葉式薄膜形成法および薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-280145 出願人：株式会社日立製作所
気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066883 出願人：信越半導体株式会社
特開昭63-269577

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