特許

J-GLOBAL ID：201303074977665860

希土類アルミノボライド熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子

発明者： 森 孝雄 ,  丸山 恵史 ,  宮崎 譲 ,  梶谷 剛 ,  林 慶
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-036757
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219330
出願日： 2013年02月27日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】高温領域で使用することができ、組成比を変えることによってn型とp型の両方の型の熱電特性を示す熱電半導体を提供する。 【解決手段】熱電半導体として希土類アルミノボライドYaAlxB14(ここで、0.49 請求項（抜粋）：

以下の組成を有する希土類アルミノボライド熱電半導体。 YaAlxB14(ここで、0.49 IPC (2件)：

H01L 35/22 ,  C01B 35/04

FI (2件)：

H01L35/22 ,  C01B35/04 D

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 熱電半導体とそれを用いた熱電発電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-172597   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• 希土類多ホウ化物熱電素子とそれを用いた熱電発電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-171979   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
• エレクトロニクス素子用硼化物材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-239268   出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 宇部興産株式会社, 三菱電機株式会社, 株式会社東芝, 株式会社日立製作所, 北海道電力株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• The crystal structure of defective YAlB14 and ErAlB14