特許
J-GLOBAL ID:201303077577459488

太陽電池素子および太陽電池モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-017255
公開番号(公開出願番号):特開2013-102217
出願日: 2013年01月31日
公開日(公表日): 2013年05月23日
要約:
【課題】光電変換効率の向上した太陽電池素子を提供する。【解決手段】太陽電池素子は、受光面、裏面2bと側面2cを有し、一導電型の半導体領域の中の受光面側から側面2c側の表面上と裏面2b側の外周部の表面上に渡って逆導電型の層が形成されていることで、受光面から側面及び裏面の外周部の各表面に沿ってpn接合領域が内部に設けられた半導体基板と、裏面上においてpn接合領域に隣接して配された一導電型の電極を備える。半導体領域は、一導電型のバルク領域と、バルク領域の裏面側に電極5に接して形成されたバルク領域よりも一導電型の不純物濃度が大きい高濃度層を有している。半導体基板は、裏面の外周と電極の端部との間に電極及び高濃度層と離れた、裏面側のpn接合領域を裏面の外周に沿って分離する溝部7を有し、裏面側から平面視すると、電極の端部と溝部との最短距離は側面のpn接合領域のpn接合部13と溝部との最短距離より小さい。【選択図】図3
請求項(抜粋):
受光面となる第1面、該第1面の裏側に位置する第2面および前記第1面と前記第2面とを接続する側面を具備し、一導電型を有する半導体領域のうちの前記第1面側の表面上から前記側面側の表面上および前記第2面側の外周部の表面上に渡って、前記一導電型とは逆の逆導電型を有する層が形成されていることで、前記第1面から前記側面および前記第2面の外周部の各表面に沿って第1pn接合領域が内部に設けられた半導体基板と、 前記第2面上に配置されるとともに、前記第1pn接合領域に隣接して配置された前記一導電型を有する第1電極とを備えており、 前記半導体領域は、前記一導電型のバルク領域と、該バルク領域の前記第2面側に前記第1電極に接して形成された、前記バルク領域よりも前記一導電型の不純物濃度が大きい高濃度層とを有しており、 前記半導体基板は、前記第2面の外周と前記第1電極の端部との間に前記第1電極および前記高濃度層と離れて設けられた、前記第2面の前記第1pn接合領域を前記第2面の外周に沿って分離する第1溝部を有しており、 前記第2面側から平面視したときに、前記第1電極の前記端部と前記第1溝部との最短距離Qは、前記側面の前記第1pn接合領域のpn接合部と前記第1溝部との最短距離Pよりも小さい、太陽電池素子。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 A
Fターム (12件):
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151EA09 ,  5F151EA15 ,  5F151EA16 ,  5F151FA10 ,  5F151GA04 ,  5F151HA03
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 太陽電池の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-238095   出願人:三洋電機株式会社
  • 太陽電池素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-161508   出願人:京セラ株式会社
  • 特表平5-508742
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審査官引用 (7件)
  • 太陽電池の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-238095   出願人:三洋電機株式会社
  • 太陽電池素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-161508   出願人:京セラ株式会社
  • 特表平5-508742
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