特許
J-GLOBAL ID：201303077654465380

半導体検査方法および半導体検査装置

発明者：
中西 英俊

中西 英俊 について

, 
斗内 政吉

斗内 政吉 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について

, 
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-214229
公開番号（公開出願番号）：特開2013-072843
出願日： 2011年09月29日
公開日（公表日）： 2013年04月22日
要約：
【課題】レーザパルス光の照射に応じて半導体デバイスにて発生する電磁波パルスの強度を非接触状態で向上させる技術を提供すること。【解決手段】半導体デバイスを検査する半導体検査装置100である。半導体検査装置100は、半導体デバイスが形成されている基板1に対してレーザパルス光2を出射するレーザパルス光源14と、レーザパルス光2が照射される照射位置10に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルス4を照射する電磁波パルス照射部18と、レーザパルス光2の照射に応じて照射位置10から放射される電磁波パルス3を検出する検出部17とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体デバイスを検査する半導体検査装置において、 半導体デバイスに対してレーザパルス光を照射する第一照射部と、 前記レーザパルス光が照射される照射位置に対して逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルスを照射する第二照射部と、 前記レーザパルス光の照射に応じて前記照射位置から放射される電磁波パルスを検出する検出部と、 を備える半導体検査装置。
IPC (5件)：
G01R 31/302 ,  H01L 31/10 ,  H01S 1/02 ,  H01L 31/04 ,  G01R 31/26
FI (5件)：
G01R31/28 L ,  H01L31/10 A ,  H01S1/02 ,  H01L31/04 K ,  G01R31/26 F
Fターム (21件)：
2G003AA06 ,  2G003AE06 ,  2G003AF02 ,  2G003AF03 ,  2G003AF06 ,  2G003AH01 ,  2G003AH03 ,  2G003AH10 ,  2G132AD15 ,  2G132AF14 ,  2G132AG01 ,  2G132AL11 ,  2G132AL12 ,  5F049MA05 ,  5F049NB07 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151KA09
引用特許：
審査官引用 (2件)

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