特許
J-GLOBAL ID:201303077829538238

組成物及び該組成物を用いたアンモニア製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 棚井 澄雄 ,  ▲廣▼保 直純 ,  荒 則彦 ,  加藤 広之 ,  五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-262903
公開番号(公開出願番号):特開2013-111563
出願日: 2011年11月30日
公開日(公表日): 2013年06月10日
要約:
【課題】安定性に優れた、特定の金属原子と多孔性金属錯体とを配合した組成物、及び、該組成物を用いたアンモニア製造方法を提供する。【解決手段】(1)及び(2)を配合した組成物、及び、該組成物を触媒として用いて、窒素と水素とを反応させてアンモニアを製造する方法。(1)スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、該金属を含む合金又は該金属を含む化合物。(2)1atmのアンモニア存在下で、200°Cにて構造崩壊を起こさない多孔性金属錯体。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記(1)及び(2)を配合した組成物。 (1)スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、該金属を含む合金又は該金属を含む化合物。 (2)1atmのアンモニア存在下で、200°Cにて構造崩壊を起こさない多孔性金属錯体。
IPC (4件):
B01J 31/26 ,  B01J 31/22 ,  B01J 31/30 ,  C01C 1/04
FI (4件):
B01J31/26 M ,  B01J31/22 M ,  B01J31/30 M ,  C01C1/04 E
Fターム (46件):
4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169BA26B ,  4G169BA27A ,  4G169BA27B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB04B ,  4G169BB08B ,  4G169BC10A ,  4G169BC16A ,  4G169BC31A ,  4G169BC33A ,  4G169BC35A ,  4G169BC39A ,  4G169BC40A ,  4G169BC44B ,  4G169BC50A ,  4G169BC51A ,  4G169BC52A ,  4G169BC54A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC62A ,  4G169BC63A ,  4G169BC64A ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC70A ,  4G169BC70B ,  4G169BC71A ,  4G169BC73A ,  4G169BC74A ,  4G169BD12B ,  4G169BE13B ,  4G169BE37B ,  4G169BE42B ,  4G169CB82 ,  4G169DA06 ,  4G169EA01Y ,  4G169FA01 ,  4G169FB04
引用特許:
審査官引用 (2件)

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