特許
J-GLOBAL ID:201303077829538238
組成物及び該組成物を用いたアンモニア製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (5件):
棚井 澄雄
, ▲廣▼保 直純
, 荒 則彦
, 加藤 広之
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-262903
公開番号(公開出願番号):特開2013-111563
出願日: 2011年11月30日
公開日(公表日): 2013年06月10日
要約:
【課題】安定性に優れた、特定の金属原子と多孔性金属錯体とを配合した組成物、及び、該組成物を用いたアンモニア製造方法を提供する。【解決手段】(1)及び(2)を配合した組成物、及び、該組成物を触媒として用いて、窒素と水素とを反応させてアンモニアを製造する方法。(1)スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、該金属を含む合金又は該金属を含む化合物。(2)1atmのアンモニア存在下で、200°Cにて構造崩壊を起こさない多孔性金属錯体。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記(1)及び(2)を配合した組成物。
(1)スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、コバルト、銅、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、銀、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム及びイリジウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属、該金属を含む合金又は該金属を含む化合物。
(2)1atmのアンモニア存在下で、200°Cにて構造崩壊を起こさない多孔性金属錯体。
IPC (4件):
B01J 31/26
, B01J 31/22
, B01J 31/30
, C01C 1/04
FI (4件):
B01J31/26 M
, B01J31/22 M
, B01J31/30 M
, C01C1/04 E
Fターム (46件):
4G169AA02
, 4G169AA08
, 4G169BA26B
, 4G169BA27A
, 4G169BA27B
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BB04B
, 4G169BB08B
, 4G169BC10A
, 4G169BC16A
, 4G169BC31A
, 4G169BC33A
, 4G169BC35A
, 4G169BC39A
, 4G169BC40A
, 4G169BC44B
, 4G169BC50A
, 4G169BC51A
, 4G169BC52A
, 4G169BC54A
, 4G169BC55A
, 4G169BC56A
, 4G169BC58A
, 4G169BC59A
, 4G169BC60A
, 4G169BC62A
, 4G169BC63A
, 4G169BC64A
, 4G169BC66A
, 4G169BC67A
, 4G169BC68A
, 4G169BC70A
, 4G169BC70B
, 4G169BC71A
, 4G169BC73A
, 4G169BC74A
, 4G169BD12B
, 4G169BE13B
, 4G169BE37B
, 4G169BE42B
, 4G169CB82
, 4G169DA06
, 4G169EA01Y
, 4G169FA01
, 4G169FB04
引用特許:
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