特許

J-GLOBAL ID：201303077924345897

半導体集積回路

発明者： 島野 裕樹 ,  有本 和民 ,  石塚 康宏 ,  古別府 誠三 ,  菅野 弘樹
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社ルネサスデザイン
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  野田 久登
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-222078
公開番号（公開出願番号）：特開2002-117677
特許番号：特許第4986345号
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の外部電源電圧によって駆動される制御部と、第2の外部電源電圧に基いて内部電源電圧を発生する内部電源電圧発生回路と、前記内部電源電圧によって駆動されるメモリ部とを備えた半導体集積回路において、 前記内部電源電圧発生回路は、 第1の電流供給能力を有し、常時活性化されて前記内部電源電圧を発生するスタンバイ電圧発生回路と、 前記内部電源電圧が異常に低下している場合に異常検知信号を出力する異常検知回路と、 前記第1の外部電源電圧によって駆動され、前記異常検知信号と前記制御部からのアクティブ指令信号との論理和信号を出力する論理回路と、 前記論理和信号の論理振幅電圧を前記第1の外部電源電圧から前記第2の外部電源電圧に変換して制御信号を出力するレベル変換回路と、 前記第1の電流供給能力よりも大きな第2の電流供給能力を有し、前記制御信号が活性化レベルにされた場合に前記内部電源電圧を発生するアクティブ電圧発生回路とを含み、 前記第1の外部電源電圧が立ち上げられる前に前記第2の外部電源電圧が立ち上げられた場合は前記制御信号が非活性化レベルになるように、前記レベル変換回路が前記制御信号を活性化レベルから非活性化レベルに変化させる第1の論理反転感度は、前記レベル変換回路が前記制御信号を非活性化レベルから活性化レベルに変化させる第2の論理反転感度よりも高く設定されている、半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C 11/4074 ( 200 6.01) ,  G11C 11/4072 ( 200 6.01) ,  H03K 17/22 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 371 E ,  H03K 17/22 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030093   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-220470
  
• パワーオンリセット回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-337163   出願人：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法および内部電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-272592   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-358394
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-149464   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-225228   出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社