特許
J-GLOBAL ID：201303078472894983

酸化膜形成方法及び装置

発明者：
前田 祐二

前田 祐二 について

, 
漆崎 清也

漆崎 清也 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332966
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151502
特許番号：特許第4801248号
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基体上に金属酸化膜を形成する成膜方法であって、 基体上に金属を堆積させて金属層を形成する金属層形成工程と、 前記金属層を有する前記基体上に酸化性を有する化学種又は該化学種の活性種を供給して前記金属を酸化する金属酸化工程と、を備え、 前記金属酸化工程は、 前記基体上に、分子内に水素原子を含有して成る第1のガス及び分子内に酸素原子を含有して成る第2のガスを未反応状態で混合するように供給するガス供給ステップと、 前記基体を加熱して前記第1のガス及び第2のガスを該基体上で反応せしめる加熱ステップと、 を含み、前記第1のガスと前記第2のガスを加熱反応させることにより生じた前記化学種又は前記活性種によって前記金属を酸化させる、 酸化膜形成方法。
IPC (15件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  C23C 14/16 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 21/283 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (12件)：
H01L 21/316 C ,  C23C 14/16 Z ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/283 B ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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