半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-019542
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140371
出願日： 2013年02月04日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：

【課題】透明基板上に設けられたセンサ部に入射する光によるノイズを防ぎ、良好な画像を読み込むことのできるセンサ部を有する安価な液晶パネルを提供する。【解決手段】少なくとも、透明基板上に設けられたセンサ部が、アクティブ素子と、該アクティブ素子と電気的に接続し、透明基板からの光を遮断する金属電極と、該金属電極上に設けられた光電変換素子と、該光電変換素子上に設けられた透明電極と、を有し、センサ部の側部には前記透明基板内で反射された光を吸収する光吸収物が設けられ、アクティブ素子は多結晶珪素膜を有する。この構成により、上記課題を解決することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

センサ部が設けられた透明基板と、対向基板とを有し、前記透明基板と前記対向基板は、光を吸収する材料を含有したシール材で接着されており、前記センサ部は前記シール材で囲まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

G02F 1/136 , G02F 1/135 , G02F 1/133 , G09F 9/30 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (8件)：

G02F1/1368 , G02F1/135 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1339 505 , G09F9/30 349Z , G09F9/30 309 , H01L29/78 619B

Fターム (66件)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092LA01 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA17 , 2H092MA24 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA41 , 2H092NA25 , 2H092PA09 , 2H189AA14 , 2H189DA72 , 2H189GA46 , 2H189HA05 , 2H189LA10 , 2H189LA11 , 2H189LA27 , 2H189LA31 , 2H191FA13X , 2H191FA13Y , 2H191FA13Z , 2H191FB02 , 2H191FD04 , 2H191FD34 , 2H191GA19 , 2H191GA20 , 2H191LA03 , 5C094AA02 , 5C094BA14 , 5C094BA43 , 5C094DA07 , 5C094ED15 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE34 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL12 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN49 , 5F110PP03

引用特許：

出願人引用 (8件)

密着型イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-194954 出願人：富士ゼロツクス株式会社
特開平3-225867
光方向センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-040338 出願人：幸南工業株式会社, 中村隆広

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審査官引用 (18件)

密着型イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-194954 出願人：富士ゼロツクス株式会社
特開平3-225867
特開平3-225867

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