特許
J-GLOBAL ID:201303079053950039

半導体発光装置及びその製造方法。

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高宗 寛暁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-206011
公開番号(公開出願番号):特開2013-069765
出願日: 2011年09月21日
公開日(公表日): 2013年04月18日
要約:
【課題】基板サイズを大きくすることなく、小型形状を維持しながら極性マークとしての視認性を高めることで、LED発光装置の実装時に極性を間違えずに作業を行うことができ、かつ追加加工のような余分な工程を必要としないLED発光装置を提供する。【解決手段】下面に突起電極1a、1bを有する半導体発光素子1の発光面に接着された蛍光体板3と、半導体発光素子1の側面を被覆する白色樹脂4と、蛍光体板3に形成された溝3aと、前記溝内に充填された有色樹脂4aを有し、前記溝内に充填された有色樹脂4aを半導体発光素子の極性マーク5とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
下面に突起電極を有する半導体発光素子の発光面に接着された蛍光体板と、前記半導体発光素子の側面を被覆する白色樹脂と、前記蛍光体板に形成された溝と、前記溝内に充填された有色樹脂を有し、前記溝内に充填された有色樹脂を半導体発光素子の極性マークとすることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/48
FI (1件):
H01L33/00 400
Fターム (2件):
5F041AA45 ,  5F041DA61
引用特許:
審査官引用 (5件)
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