電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-166145
公開番号（公開出願番号）：特開2013-029435
出願日： 2011年07月29日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：

【課題】本発明は、光ポンピング法を用いず、スピン偏極率の絶対値が0.05以上である電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置を提供することを課題とする。【解決手段】希ガス元素イオンからなるイオンビームを発生させる工程と、前記イオンビームを標的12の一面12aに入射して、散乱イオンビームを出射させる工程と、前記散乱イオンビームを静電アナライザ13内に取り込んで、電界を印加して、電子スピン偏極イオンビームを発生させる工程と、を有する電子スピン偏極イオンビーム発生方法であって、前記イオンビームを標的12の一面12aに入射する際、前記イオンビームの入射方向と前記散乱イオンビームの出射方向の両者を含む散乱面に対して、磁場の方向が80°以上100°以下の方向となるように、磁場を印加する電子スピン偏極イオンビーム発生方法を用いることによって前記課題を解決できる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

希ガス元素イオンからなるイオンビームを発生させる工程と、前記イオンビームを標的の一面に入射して、散乱イオンビームを出射させる工程と、前記散乱イオンビームを静電アナライザ内に取り込んで、電界を印加して、電子スピン偏極イオンビームを発生させる工程と、を有する電子スピン偏極イオンビーム発生方法であって、前記イオンビームを標的の一面に入射する際、前記イオンビームの入射方向と前記散乱イオンビームの出射方向の両者を含む散乱面に対して、磁場の方向が80°以上100°以下の方向となるように、磁場を印加することを特徴とする電子スピン偏極イオンビーム発生方法。

IPC (2件)：

G21K 1/00 , G01N 27/62

FI (2件)：

G21K1/00 A , G01N27/62 G

Fターム (1件)：

2G041CA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

偏極イオンビーム発生装置と偏極イオンビーム発生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-175501 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構
特開昭62-006148
ヘリウム3で動作する原子時計
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-132868 出願人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ

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