特許
J-GLOBAL ID：201303080311233965
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-029223
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168651
特許番号：特許第5307303号
出願日： 2013年02月18日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のチャネル保護膜と、
前記酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記チャネル保護膜と接し第1の膜厚を有する領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接し第2の膜厚を有する領域と、を有し、
前記第2の膜厚は、前記第1の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 619 A
