特許
J-GLOBAL ID：201303080791285684
シリカ多孔質膜
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066748
公開番号（公開出願番号）：特開2013-227206
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：
【課題】高い耐摩耗性を有し、低屈折率性、防汚性などに優れたシリカ多孔質膜を提供する。【解決手段】下記(1)及び(2)を満たすシリカ多孔質膜。(1) シリカ多孔質膜の表面から深さ方向10nmの位置までの領域において、X線光電子分光法(XPS)によって元素分析することにより算出される、炭素原子、酸素原子、フッ素原子及びケイ素原子の合計数に対するフッ素原子数の割合が3〜35原子%である。(2) シリカ多孔質膜の表面から深さ方向10nmの位置から、該表面から深さ方向40nmの位置までの領域において、深さ方向のXPS分析によって元素分析することにより算出される、炭素原子、酸素原子、フッ素原子及びケイ素原子の合計数に対するフッ素原子数の割合が0.8原子%以下である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記(1)及び(2)を満たすことを特徴とするシリカ多孔質膜。
(1) シリカ多孔質膜の表面から深さ方向10nmの位置までの領域において、X線光電子分光法(XPS)によって元素分析することにより算出される、炭素原子、酸素原子、フッ素原子及びケイ素原子の合計数に対するフッ素原子数の割合が3〜35原子%である。
(2) シリカ多孔質膜の表面から深さ方向10nmの位置から、該表面から深さ方向40nmの位置までの領域において、深さ方向のXPS分析によって元素分析することにより算出される、炭素原子、酸素原子、フッ素原子及びケイ素原子の合計数に対するフッ素原子数の割合が0.8原子%以下である。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4G072AA08
, 4G072AA24
, 4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072BB15
, 4G072FF01
, 4G072GG01
, 4G072GG02
, 4G072HH05
, 4G072HH30
, 4G072JJ11
, 4G072JJ14
, 4G072KK01
, 4G072NN21
, 4G072RR05
