超接合半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189590
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135819
特許番号：特許第4774580号
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第一と第二の主面と、それぞれの主面に設けられた電極と、第二の主面側を低抵抗層として第一と第二の主面間に低抵抗層と、オン状態では電流を流すとともにオフ状態では空乏化する第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域とを交互に配置した並列pn層とを備える超接合半導体素子において、電流が流れる素子活性部を囲む素子外周部に第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域とが交互に繰り返し配置された並列pn層を有し、前記素子外周部の並列pn層と、前記素子活性部の並列pn層とが平面的にストライプ状であり、かつ平行した配置であり、かつ前記第一導電型ドリフト領域と前記第二導電型仕切り領域の領域幅が等しく、かつ前記素子外周部の並列pn層と前記素子活性部の並列pn層とで前記第一導電型ドリフト領域と前記第二導電型仕切り領域の領域幅が等しく、かつ前記素子外周部の外側に、第一導電型のチャネルストッパ領域を有し、前記チャネルストッパ領域が前記素子外周部および前記素子活性部のストライプ状に形成した第一導電型ドリフト領域と第二導電型仕切り領域に対して垂交していることを特徴とする超接合半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 29/861 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 C , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 652 S , H01L 29/06 301 D , H01L 29/06 301 F , H01L 29/06 301 S , H01L 29/91 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-247944 出願人：株式会社明電舎
特開平2-194559

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