基板トリガ静電破壊保護又は電気的オーバストレス保護を行うラテラル・バイポーラ・デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116342
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345941
特許番号：特許第4856803号
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板トリガ静電放電保護又は電気的オーバストレス保護を行うラテラル・バイポーラ・デバイスにおいて、基板(65)上に位置し第1導電性を有する第1トップ基板領域(80)と、前記基板(65)上に位置し前記第1導電性とは異なる第2導電性を有する第2トップ基板領域(70)であって、前記第1および第2トップ基板領域(70,80)は互いに隣接する位置関係にある第2トップ基板領域(70)と、前記第1トップ基板領域(80)内に位置しかつ入出力パッド(20)に接続されると共に前記第1導電性を有するコレクタ(87)と、前記第2導電性を有するベース(86)であって、前記ベース(86)は前記第1および第2トップ基板領域(70,80)の一部分内に位置すると共にトリガ回路(12)に接続されるベース(86)と、前記第2トップ基板領域(70)内に位置しかつ電力供給端子(45)に接続されると共に前記第1導電性を有するエミッタ(88)と、前記第2トップ基板領域(70)上において前記ベース(86)と前記エミッタ(88)との間に形成されるゲート構造(95)と、前記第2トップ基板領域(70)内において前記第2トップ基板領域(70)と隣接すると共に前記電力供給端子(45)に接続されるドープ領域(100)であって、前記第2導電性を有し前記第2トップ基板領域(70)よりも高いドーピング濃度を有するドープ領域(100)とを備え、前記トリガ回路(12)から供給されるトリガ電流によってターン・オンされることを特徴とするラテラル・バイポーラ・デバイス。

IPC (9件)：

H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 23/12 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 21/8249 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 21/331 ( 200 6.01) , H01L 29/73 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 27/06 101 P , H01L 23/12 E , H01L 27/04 H , H01L 27/06 311 C , H01L 27/06 321 H , H01L 27/08 102 F , H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (5件)

静電気放電保護回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-101176 出願人：華邦電子股ふん有限公司
ESD保護回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-250645 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
静電気放電の保護のための回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-041104 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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