特許
J-GLOBAL ID:201303082713721080
ネスト化複合スイッチ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
杉村 憲司
, 福尾 誠
, 吉澤 雄郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-152933
公開番号(公開出願番号):特開2013-038406
出願日: 2012年07月06日
公開日(公表日): 2013年02月21日
要約:
【課題】高いスイッチング速度及び低いオン状態抵抗を有し、電圧降伏耐性を強化したネスト化複合スイッチを提供する。【解決手段】ネスト化複合スイッチ240は、複合スイッチに結合されたノーマリオン・プライマリ・トランジスタを含む。複合スイッチは、中間型トランジスタ222とカスコード接続された低電圧(LV)トランジスタ224を含み、中間型トランジスタは、LVトランジスタよりは大きく、ノーマリオン・プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有する。1つの実現では、ノーマリオン・プライマリ・トランジスタはIII-V族トランジスタとすることができ、LVトランジスタはIV族LVトランジスタとすることができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
複合スイッチに結合されたノーマリオン・プライマリ・トランジスタを具えたネスト化複合スイッチであって、
前記複合スイッチは、中間型トランジスタとカスコード接続された低電圧(LV)トランジスタを含み、前記中間型トランジスタは、前記LVトランジスタよりは大きく、かつ前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有することを特徴とするネスト化複合スイッチ。
IPC (9件):
H01L 27/095
, H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
, H01L 21/823
, H01L 27/06
, H01L 27/088
, H01L 21/822
, H01L 27/04
FI (5件):
H01L29/80 E
, H01L29/80 H
, H01L27/06 102A
, H01L27/08 102A
, H01L27/04 F
Fターム (27件):
5F038BH15
, 5F038CD16
, 5F038DF01
, 5F038EZ02
, 5F038EZ20
, 5F048AA05
, 5F048AB10
, 5F048AC02
, 5F048AC03
, 5F048AC09
, 5F048AC10
, 5F048BA15
, 5F048BA16
, 5F048BB15
, 5F102GA01
, 5F102GA02
, 5F102GA05
, 5F102GA14
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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炭化珪素半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-035404
出願人:株式会社デンソー
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-173668
出願人:富士電機デバイステクノロジー株式会社
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特開昭59-223027
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-019071
出願人:古河電気工業株式会社
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