特許
J-GLOBAL ID：200903070396130010
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035404
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247496
出願日： 2003年02月13日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】小型で配線による伝導損失が小さく、高温域で動作させることができる、高性能で安価な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1の電界効果トランジスタ(JFET1)と、第2の電界効果トランジスタ(JFET2)とが、同じ炭化珪素からなる半導体基板10に集積化され、第2の電界効果トランジスタ(JFET2)のドレイン(D2)が、第1の電界効果トランジスタ(JFET1)のソース(S1)に接続され、第2の電界効果トランジスタ(JFET2)と第1の電界効果トランジスタ(JFET1)のゲート(G1/G2)同士が接続されてなる炭化珪素半導体装置(100)とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電界効果トランジスタと、第2の電界効果トランジスタとが、同じ炭化珪素からなる半導体基板に集積化され、
前記第2の電界効果トランジスタのドレインが、前記第1の電界効果トランジスタのソースに接続され、
前記第2の電界効果トランジスタと前記第1の電界効果トランジスタのゲート同士が接続されてなることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (8件)：
H01L27/095
, H01L21/06
, H01L21/337
, H01L21/8232
, H01L21/8234
, H01L27/088
, H01L29/80
, H01L29/808
H01L29/80 E
, H01L29/80 C
, H01L29/80 V
, H01L27/06 F
, H01L27/08 102A
5F048AB04
, 5F048AC07
, 5F048AC09
, 5F048BA02
, 5F048BA14
, 5F048BB05
, 5F048BC03
, 5F048BC12
, 5F048BD07
, 5F048CB07
, 5F102GA01
, 5F102GA02
, 5F102GB01
, 5F102GB04
, 5F102GC01
, 5F102GC03
, 5F102GC05
, 5F102GC09
, 5F102GD04
, 5F102GD10
, 5F102GJ02
, 5F102GL02
, 5F102GM04
, 5F102GR04
, 5F102GS03
