特許
J-GLOBAL ID：200903070336157262

半導体装置

発明者：
上野 勝典

上野 勝典 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-173668
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351691
出願日： 2005年06月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】ノーマリオフ型と同等の動作をするヘテロ接合電界効果トランジスタを有し、パッケージのサイズが小型で、信頼性が高く、本来の半導体素子の優れた特性を備えること。【解決手段】高耐圧を有するノーマリオン型のヘテロ接合電界効果トランジスタ100とノーマリオフ型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ200をモノリシックに形成し、それらをカスコード接続することによって、ノーマリオフ型と同等の動作をするヘテロ接合電界効果トランジスタ100を備えた構成とする。また、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ200にアバランシェダイオード300を並列に接続して、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ200の破壊を防ぐ。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
シリコンまたは炭化ケイ素からなる第1の半導体層と、該第1の半導体層の一部の上に形成された、シリコンよりもバンドギャップの広い半導体材料からなる第2の半導体層を有し、前記第1の半導体層には、ノーマリオフ型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタが形成され、前記第2の半導体層には、ゲート電極によって電流制御が可能なヘテロ接合電界効果トランジスタが形成されており、該ヘテロ接合電界効果トランジスタのゲートが前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソース電極と電気的に短絡され、該ヘテロ接合電界効果トランジスタのソースが前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレインと電気的に短絡されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/866 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08
FI (9件)：
H01L27/08 102A ,  H01L29/80 E ,  H01L29/80 H ,  H01L27/04 H ,  H01L29/90 D ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/06 F ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102E
Fターム (29件)：
5F038AV01 ,  5F038AV06 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA03 ,  5F048BA05 ,  5F048BA07 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB19 ,  5F048BD07 ,  5F102FA01 ,  5F102GA05 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-125913   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-066926   出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (8件)
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