特許
J-GLOBAL ID:201303082937854522

電気メッキされた安定化層含有量を低減する構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 渡邉 一平 ,  木川 幸治 ,  佐藤 博幸 ,  小池 成
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-529292
公開番号(公開出願番号):特表2013-543631
出願日: 2011年09月14日
公開日(公表日): 2013年12月05日
要約:
超電導部品は、第1および第2の積層導体セグメントを含む。第1の積層導体セグメントは、第1および第2の超電導セグメントを含み、公称厚さtn1を有する。第2の積層導体セグメントは、第3および第4の超電導セグメントを含み、公称厚さtn2を有する。超電導部品は、第1および第3の超電導セグメントをともに接続する第1のスプライスと、第2および第4の超電導セグメントをともに接続する第2のスプライスとを備える、接合領域をさらに含む。第1のスプライスは、接合領域の少なくとも一部分に沿って、第1および第3の超電導セグメントの部分に隣接し、かつこれらを架橋し、第2のスプライスは、接合領域の少なくとも一部分に沿って、第2および第4の超電導セグメントの部分に隣接し、かつこれらを架橋する。接合領域は、厚さtjrを有し、ここで、tjrは、1.8tn1および1.8tn2のうちの少なくとも1つを超えない。
請求項(抜粋):
公称厚さtn1を有する、第1の積層導体セグメントであって、第1および第2の超電導セグメントを含む、第1の積層導体セグメントと、 公称厚さtn2を有する、第2の積層導体セグメントであって、第3および第4の超電導セグメントを含む、第2の積層導体セグメントと、 前記第1および第3の超電導セグメントをともに接続する第1のスプライスと、前記第2および第4の超電導セグメントをともに接続する第2のスプライスとを備える、接合領域であって、前記第1のスプライスは、前記接合領域の少なくとも一部分に沿って、前記第1および第3の超電導セグメントの両方の部分に隣接し、かつこれらを架橋し、前記第2のスプライスは、前記接合領域の少なくとも一部分に沿って、前記第2および第4の超電導セグメントの両方の部分に隣接し、かつこれらを架橋し、前記接合領域は、厚さtjrを有し、tjrは、1.8tn1および1.8tn2のうちの少なくとも1つを超えない、接合領域と、 を備える、超電導部品。
IPC (4件):
H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  H01L 39/02 ,  H01R 4/68
FI (4件):
H01B12/06 ,  H01B13/00 561Z ,  H01L39/02 D ,  H01R4/68
Fターム (14件):
4M114BB08 ,  4M114DB62 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA06 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA41 ,  5G321CA46 ,  5G321DA08 ,  5G321DB37
引用特許:
審査官引用 (5件)
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