特許
J-GLOBAL ID:201303083170500815

波長変換半導体発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 津軽 進 ,  笛田 秀仙
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-539445
公開番号(公開出願番号):特表2013-511836
出願日: 2010年10月22日
公開日(公表日): 2013年04月04日
要約:
装置は、n型領域及びp型領域の間に配置される発光層を含む半導体構造50を含む。発光性材料58a・58bは、前記発光層によって発される光の経路に位置される。熱的結合材料56は、透明材料60内に配置される。前記熱的結合材料は、前記透明材料の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する。前記熱的結合材料は、前記発光性材料から熱を排出するように位置される。
請求項(抜粋):
発光層を含む半導体構造と、 前記発光層によって発される光の経路に位置される発光性材料と、 透明材料内に配置される熱的結合材料と、 を含み、 前記熱的結合材料は、前記発光層によって発される光に関して非波長変換性であり、 前記熱的結合材料は、前記透明材料の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有し、 前記熱的結合材料は、前記発光性材料から熱を排出するように位置され、 前記熱的結合材料の屈折率は、前記透明材料の屈折率とは10%未満で相違する、 装置。
IPC (2件):
H01L 33/64 ,  H01L 33/50
FI (2件):
H01L33/00 450 ,  H01L33/00 410
Fターム (25件):
5F142AA23 ,  5F142AA42 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CB07 ,  5F142CF12 ,  5F142CF26 ,  5F142CF27 ,  5F142CF42 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG23 ,  5F142CG42 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DA13 ,  5F142DA14 ,  5F142DA22 ,  5F142DA32 ,  5F142DA35 ,  5F142DA42 ,  5F142DA73 ,  5F142FA24 ,  5F142FA28
引用特許:
審査官引用 (5件)
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