特許

J-GLOBAL ID：201303084226104191

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 原田 佳和
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-217912
公開番号（公開出願番号）：特開2013-077362
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：

【課題】メモリセルのしきい値分布の拡大を抑制しつつ、書き込みの高速化を図る。【解決手段】書き込み制御部7aは、メモリセルの低レベル領域と高レベル領域を検索する条件ベリファイ動作を行い、条件ベリファイ動作以降の書き込み動作において前記低レベル領域と前記高レベル領域の書き込み電圧を共通に設定するとともに、前記低レベル領域と前記高レベル領域のビット線電圧を別個に設定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、 前記メモリセルの書き込み動作、しきい値分布の目標ベリファイレベルに基づいて書き込みベリファイ動作を制御する制御部と、 を備え、 前記書き込み制御部は、前記メモリセルの低レベル領域と高レベル領域を検索する条件ベリファイ動作を行い、前記条件ベリファイ動作以降の書き込み動作において前記低レベル領域と前記高レベル領域の書き込み電圧を共通に設定するとともに、前記低レベル領域と前記高レベル領域のビット線電圧を別個に設定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  G11C 16/04

FI (6件)：

G11C17/00 611E ,  G11C17/00 634F ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641 ,  G11C17/00 633C

Fターム (11件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA14 ,  5B125DB09 ,  5B125DB12 ,  5B125DB18 ,  5B125EA05 ,  5B125ED04 ,  5B125EG14 ,  5B125EG17 ,  5B125FA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性メモリの振舞いに基づくプログラミング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-076471   出願人：サンディスクコーポレイション, 株式会社東芝
• ソリッドステートメモリのプログラミング速度の特定と制御
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-513325   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.