特許
J-GLOBAL ID：201303084273361135
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
きさらぎ国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066890
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201164
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：
【課題】回路面積を削減可能な保護回路構成を有した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1ダイオード、第2ダイオード、及び第3ダイオードを有する。第1ダイオードは、第1電源電圧が印加される第1電源端子にアノードを接続し且つ入出力信号が入出力される入出力端子にカソードを接続する。第2ダイオードは、入出力端子にアノードを接続し且つ第1電源電圧よりも高い第2電源電圧が印加される第2電源端子にカソードを接続する。第3ダイオードは、第1電源端子にアノードを接続し且つ第2電源端子にカソードを接続する。第1ダイオード及び第2ダイオードの少なくとも一方の降伏電圧は、第3ダイオードの降伏電圧よりも高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電源電圧が印加される第1電源端子にアノードを接続し且つ入出力信号が入出力される入出力端子にカソードを接続する第1ダイオードと、
前記入出力端子にアノードを接続し且つ前記第1電源電圧よりも高い第2電源電圧が印加される第2電源端子にカソードを接続する第2ダイオードと、
前記第1電源端子にアノードを接続し且つ前記第2電源端子にカソードを接続する第3ダイオードとを備え、
前記第1ダイオード及び前記第2ダイオードの少なくとも一方の降伏電圧は、前記第3ダイオードの降伏電圧よりも高く、
前記第3ダイオードよりも降伏電圧が高い前記第1ダイオード及び前記第2ダイオードの少なくとも一方の素子サイズは、前記第3ダイオードの素子サイズよりも小さい
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 27/06
H01L27/04 H
, H01L27/06 311B
5F038BH04
, 5F038BH05
, 5F038BH13
, 5F038BH15
, 5F038EZ20
, 5F048AA01
, 5F048AA02
, 5F048CC06
, 5F048CC15
, 5F048CC16
