特許
J-GLOBAL ID：201003031823763157

垂直方向過渡電圧サプレッサ(TVS)とEMIフィルタのための回路構成と製造処理

発明者：
マリカラリュナスワミ,シェーカル

マリカラリュナスワミ,シェーカル について

, 
ボブデ,マドゥール

ボブデ,マドゥール について


出願人/特許権者：
アルファ アンド オメガ セミコンダクター,リミテッド

アルファ アンド オメガ セミコンダクター,リミテッド について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-537234
公開番号（公開出願番号）：特表2010-510662
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
基板の底部まで及ぶ高濃度ドープ層を有し、その上にVTVS装置を支持する半導体基板を含む、垂直方向TVS(VTVS)回路。深さのあるトレンチが、マルチチャネルVTVSの間を絶縁するために設けられる。トレンチゲートもまた、組込型のEMIフィルタを有するVTVSの静電容量を増加するために設けられる。
請求項（抜粋）：
基板の底表面まで及ぶ高濃度ドープ層を含む、前記基板を含み、 前記高濃度ドープ層が、1E18/cm3よりも高い第1の導電型のドーパント濃度を有する、 垂直方向過渡電圧サプレッサ(VTVS)装置。
IPC (8件)：
H01L 27/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/78
FI (12件)：
H01L27/06 311B ,  H01L29/91 D ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/06 101D ,  H01L27/06 101U ,  H01L27/06 101P ,  H01L27/08 102F ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 653A
Fターム (45件)：
5F038AR09 ,  5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038BH19 ,  5F038CA12 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC06 ,  5F048AC07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD07 ,  5F048BG13 ,  5F048CA03 ,  5F048CC01 ,  5F048CC05 ,  5F048CC06 ,  5F048CC09 ,  5F048CC13 ,  5F048CC18 ,  5F048CC20 ,  5F082AA04 ,  5F082AA26 ,  5F082AA33 ,  5F082BA05 ,  5F082BA41 ,  5F082BA47 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082BC13 ,  5F082BC15 ,  5F082EA22 ,  5F082FA16 ,  5F082GA04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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