特許
J-GLOBAL ID：201303084888972991
スイッチング素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-003876
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143522
出願日： 2012年01月12日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：
【課題】 スイッチング素子のゲート電極と上部電極との間の容量を低減する。【解決手段】 スイッチング素子であり、半導体基板には、半導体基板の上面に露出している第1導電型の第1領域と、半導体基板の上面に露出しているとともに、第1領域の下側まで広がっている第2導電型の第2領域と、第2領域の下側に形成されている第1導電型の第3領域が形成されている。半導体基板の上面には、第1領域及び第2領域と導通する上部電極が形成されている。半導体基板の上面には、トレンチが形成されている。ゲート電極が、第1領域が露出している範囲内を伸びるトレンチ内の少なくとも一部において第1領域の深さから第3領域の深さに至る第1部分と、第2領域が露出している範囲内を伸びるトレンチ内の少なくとも一部において第2領域の深さに形成されており、第3領域の深さに達していない第2部分を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を有するスイッチング素子であり、
半導体基板には、
半導体基板の上面に露出している第1導電型の第1領域と、
半導体基板の上面に露出しているとともに、第1領域の下側まで広がっている第2導電型の第2領域と、
第2領域の下側に形成されており、第2領域によって第1領域から分離されている第1導電型の第3領域、
が形成されており、
半導体基板の上面には、第1領域及び第2領域と導通する上部電極が形成されており、
半導体基板の上面には、第1領域が露出する領域と第2領域が露出する領域に跨って伸びるトレンチが形成されており、
トレンチ内に、絶縁膜によって半導体基板から絶縁されているゲート電極が形成されており、
ゲート電極が、半導体基板の上面を平面視したときに第1領域が露出している範囲内を伸びるトレンチ内の少なくとも一部において第1領域の深さから第3領域の深さに至る第1部分と、半導体基板の上面を平面視したときに第2領域が露出している範囲内を伸びるトレンチ内の少なくとも一部において第2領域の深さに形成されており、第3領域の深さに達していない第2部分を有する、
ことを特徴とするスイッチング素子。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652M
