特許
J-GLOBAL ID：201303085322746494
ショットキーダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
村山 靖彦
, 志賀 正武
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-004955
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033899
出願日： 2012年01月13日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】本発明は、ショットキーダイオード及びその製造方法に関するものである。【解決手段】本発明のショットキーダイオードは、第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含む。前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続されている。前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触である。前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触である。前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含むショットキーダイオードにおいて、
前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続され、
前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触であり、
前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触であり、
前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなることを特徴とするショットキーダイオード。
IPC (3件)：
H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 21/329
H01L29/48 D
, H01L29/48 P
4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104CC03
, 4M104GG03
, 4M104HH20
