特許

J-GLOBAL ID：201303085662374788

Si結晶の結晶品質評価方法及び結晶品質評価装置

発明者： 藩 伍根
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-040324
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175666
出願日： 2012年02月27日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】4探針抵抗値測定法を用いるとともに、太陽電池用Si結晶中の欠陥分布を反映した結晶品質評価値を測定することができる太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法及び結晶品質評価装置を提供する。【解決手段】4探針抵抗値測定法を用い、その4探針間の各間隔をSi結晶の厚さよりも大きく選定するとともに、両端の探針間に流す電流を徐々に増加させる変調電流とする太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法であって、横軸を変調電流値、縦軸を抵抗値とするグラフを用いて太陽電池用Si結晶の結晶品質を評価する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

4探針抵抗値測定法を用い、その4探針間の各間隔をSi結晶の厚さよりも大きく選定するとともに、両端の探針間に流す電流を徐々に増加させる変調電流とする太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法であって、 横軸を変調電流値、縦軸を抵抗値とするグラフを用いて太陽電池用Si結晶の結晶品質を評価することを特徴とする、太陽電池用Si結晶の結晶品質評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 31/04 ,  G01R 27/02

FI (3件)：

H01L21/66 L ,  H01L31/04 K ,  G01R27/02 R

Fターム (13件)：

2G028AA01 ,  2G028BB11 ,  2G028BC01 ,  2G028CG02 ,  2G028DH10 ,  2G028HN11 ,  2G028HN13 ,  4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA10 ,  4M106DH09 ,  4M106DH51 ,  5F151KA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 測定電流値決定方法及び4探針抵抗率測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-201184   出願人：株式会社日立国際電気エンジニアリング
• 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-198014   出願人：信越半導体株式会社