特許
J-GLOBAL ID：200903064793821097
半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198014
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017723
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 従来のスマートカット法の下限値よりも厚く、ひいては太陽電池等に適した半導体薄膜を、高歩留まり・高能率にて製造可能な半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、主表面から深さ5μm以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離する
請求項（抜粋）：
半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、前記主表面から深さ5μm以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において前記半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C23C 14/48
, H01L 27/12
C23C 14/48 Z
, H01L 27/12 B
, H01L 31/04 X
4K029AA06
, 4K029BD01
, 4K029CA10
, 4K029GA05
, 5F051AA02
, 5F051CB19
, 5F051CB21
, 5F051CB24
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5F051GA04
