特許
J-GLOBAL ID：201303086557630821
スパッタリング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人青莪
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-064494
公開番号（公開出願番号）：特開2013-194300
出願日： 2012年03月21日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードC1は、立体形状の輪郭を有するターゲットT1と、トンネル状の磁場Mを形成する磁石ユニットM1とを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面Tsとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線Mfが、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに連設される少なくとも2個の真空処理室と、上流側の真空処理室から下流側の真空処理室に成膜対象物を移送する移送手段と、を備え、
少なくとも下流側の真空処理室内に立体形状の輪郭を有するターゲットを、このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面とし、当該スパッタ面が移送手段で移送される成膜対象物に対向するように配置し、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニットを、この磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線がスパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように下流側の真空処理室に設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C23C14/35 C
, C23C14/35 B
, C23C14/34 D
4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029AA25
, 4K029BA23
, 4K029BC03
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4K029DC16
, 4K029DC32
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 4K029DC46
, 4K029JA10
, 4K029KA01
, 4K029KA03
, 4K029KA09
