特許
J-GLOBAL ID:201303086931410806

基板処理装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-268742
公開番号(公開出願番号):特開2013-120944
出願日: 2012年12月07日
公開日(公表日): 2013年06月17日
要約:
【課題】回路基板を損傷することなく基板を効果的に乾燥できる基板処理装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持する基板支持部材と、前記工程チャンバーの内部空間の中の前記基板の下方に位置する空間に超臨界流体を供給する第1供給ポートと、前記工程チャンバーの内部空間の中の前記基板の上部に位置する空間へ超臨界流体を供給する第2供給ポートと、前記工程チャンバーの内部に留まる超臨界流体を外部へ排気する排気ポートと、を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
内部に空間が形成された工程チャンバーと、 前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持する基板支持部材と、 前記工程チャンバーの内部空間の中の、前記基板の下方に位置する空間に超臨界流体を供給する第1供給ポートと、 前記工程チャンバーの内部空間の中の、前記基板の上方に位置する空間に超臨界流体を供給する第2供給ポートと、 前記工程チャンバーの内部に留まる超臨界流体を外部へ排気する排気ポートと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件):
H01L 21/304
FI (1件):
H01L21/304 651Z
Fターム (6件):
5F157AB02 ,  5F157AB42 ,  5F157AC03 ,  5F157CB26 ,  5F157CF90 ,  5F157DA21
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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