特許
J-GLOBAL ID：200903080824533619
基板洗浄方法、基板洗浄装置、基板処理システム、基板洗浄プログラム及び記憶媒体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-332080
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147654
出願日： 2004年11月16日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 基板の裏面に付着した付着物を完全に除去すると共に、基板から製造される半導体デバイスの品質の低下を防止することができる基板洗浄方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハWの裏面を洗浄するクリーニング室5は、半導体ウエハWを収容する主チャンバ9において、半導体ウエハWの裏面にエアロゾルを含むガスを噴射するラバルノズル32を有するエアロゾル噴射部23を備え、半導体ウエハWの裏面を洗浄する際、主チャンバ9内を数kPaに調整し(ステップS52)、主チャンバ9内において下降流を発生させ(ステップS53)、ラバルノズル32からエアロゾルを含むガスを噴射し(ステップS54)、エアロゾルから気化したガス等からガス粘性流を発生させる(ステップS55)。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
所定の処理が施される基板の裏面を洗浄する基板洗浄方法であって、
前記基板の裏面に2つの相状態を呈する物質を接触させる2相状態物質接触ステップと、
所定の圧力下において前記基板の裏面の近傍に前記物質の流れを生成する裏面近傍流生成ステップとを有することを特徴とする基板洗浄方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 645D
出願人引用 (7件)
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特開平4-14222号公報
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洗浄方法及び洗浄装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-134603
出願人：日本電気株式会社
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基板処理装置及び基板処理方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-122190
出願人：東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (6件)
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