特許

J-GLOBAL ID：201303087783201174

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  本田 達也
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134667
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021315
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】第1の酸化物半導体層上に、電子親和力が第1の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きく、またはエネルギーギャップが第1の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さい第2の酸化物半導体層を形成し、さらに第2の酸化物半導体層を包むように第2の酸化物半導体層の側面及び上面を覆う第3の酸化物半導体層を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上に第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層上に前記第2の酸化物半導体層の側面を覆う第3の酸化物半導体層と、 前記第3の酸化物半導体層上にソース電極層またはドレイン電極層と、 前記ソース電極層または前記ドレイン電極層上にゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に前記第1の酸化物半導体層、前記第2の酸化物半導体層、及び前記第3の酸化物半導体層と重なるゲート電極層とを有し、 前記第2の酸化物半導体層は、前記第1の酸化物半導体層及び前記第3の酸化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  G09F 9/30

FI (5件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L27/14 C ,  G09F9/30 338

Fターム (108件)：

4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CB06 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB19 ,  4M118FB20 ,  4M118GA02 ,  4M118GB15 ,  5C094AA04 ,  5C094AA13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM07 ,  5F110HM14 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子、半導体素子の製造方法、及び表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-325734   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-247669   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示基板およびこれを含む表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-000313   出願人：三星電子株式会社