特許
J-GLOBAL ID：201103039537913670

半導体装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について

, 
三宅 博之

三宅 博之 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-247669
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119718
出願日： 2010年11月04日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用い、同一基板上に画素部と、高速動作が可能な駆動回路部とを有する表示品質及び信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。【解決手段】駆動回路部と画素部において、一方の面に結晶領域を有する酸化物半導体層を活性層として用いた2種類の薄膜トランジスタをそれぞれ形成し、ゲート電極層の配置によりチャネルが形成される領域を選択することにより、薄膜トランジスタの電気特性を選択し、同一基板上に高速動作が可能な駆動回路部と、画素部を有した半導体装置を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
同一基板上に第1のトランジスタを有する画素部と、第2のトランジスタを有する駆動回路部と、を有し、 前記第1のトランジスタは、基板上に第1のゲート電極層と、 前記第1のゲート電極層上にゲート絶縁層として機能する第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に表層部にナノ結晶からなる結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層の一部と重なる第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、 前記第1の酸化物半導体層の一部と接する第2の絶縁層と、を有し、 前記第2のトランジスタは、前記基板上に前記第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上に、表層部にナノ結晶からなる結晶領域を有する第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層の一部と重なる第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、 前記第2の酸化物半導体層の一部と接し、ゲート絶縁層として機能する前記第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層上に、第2のゲート電極層と、を有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/30
FI (6件)：
H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 627G ,  G09F9/30 338
Fターム (63件)：
5C094AA02 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FB14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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