特許
J-GLOBAL ID：201303088533692993
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
, 佐々木 眞人
, 野田 久登
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207911
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026125
特許番号：特許第4794030号
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に形成され、それぞれがゲート電極およびソース/ドレイン領域を有する第1トランジスタ領域、第2トランジスタ領域、および第3トランジスタ領域と、
前記半導体基板上に形成され、ゲート電極を有し、ソース/ドレイン領域を有さない第1領域と、
前記半導体基板上に形成され、ゲート電極を有し、ソース/ドレイン領域を有さない第2領域とを備え、
前記第1領域は、前記第1トランジスタ領域と前記第2トランジスタ領域との間に形成され、
前記第2領域は、前記第2トランジスタ領域と前記第3トランジスタ領域との間に形成され、
前記第1トランジスタ領域のゲート電極のゲート幅、前記第2トランジスタ領域のゲート電極のゲート幅、前記第3トランジスタ領域のゲート電極のゲート幅、前記第1領域のゲート電極のゲート幅、および前記第2領域のゲート電極のゲート幅は、ゲート幅方向が同一の方向になるように配置され、
前記第1領域のゲート電極のゲート長は、前記第1トランジスタ領域のゲート電極のゲート長、前記第2トランジスタ領域のゲート電極のゲート長、前記第3トランジスタ領域のゲート電極のゲート長、および前記第2領域のゲート電極のゲート長よりも大きく、
前記第2領域のゲート電極のゲート長は、前記第1トランジスタ領域のゲート電極のゲート長、前記第2トランジスタ領域のゲート電極のゲート長、および前記第3トランジスタ領域のゲート電極のゲート長よりも大きく、
前記第1トランジスタ領域のゲート電極の前記第1領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁および前記第1領域のゲート電極の前記第1トランジスタ領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁の間隔と、前記第2トランジスタ領域のゲート電極の前記第1領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁および前記第1領域のゲート電極の前記第2トランジスタ領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁の間隔と、前記第2トランジスタ領域のゲート電極の前記第2領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁および前記第2領域のゲート電極の前記第2トランジスタ領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁の間隔と、前記第3トランジスタ領域のゲート電極の前記第2領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁および前記第2領域のゲート電極の前記第3トランジスタ領域のゲート電極のゲート長方向に直交する側壁に対向する側壁の間隔とは、略同一である、半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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