特許
J-GLOBAL ID：201303088749130345

半導体装置及び受信機

発明者：
高橋 剛

高橋 剛 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 真田 有 ,  山本 雅久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-056232
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191691
出願日： 2012年03月13日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】バックワードダイオードの順方向バイアス時のリーク電流を抑制する。【解決手段】半導体装置を、p型半導体層10と、n型半導体層11と、p型半導体層とn型半導体層とが接合されるpn接合部13と、p型半導体層及びn型半導体層の少なくとも一方に設けられ、順方向バイアス時に電子及びホールの少なくとも一方に対してバリヤとなる多重量子障壁構造14、15又は多重量子井戸構造とを備え、逆方向バイアス時にpn接合部に電子がバンド間トンネリングしうる部分が形成されるものとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型半導体層と、 n型半導体層と、 前記p型半導体層と前記n型半導体層とが接合されるpn接合部と、 前記p型半導体層及び前記n型半導体層の少なくとも一方に設けられ、順方向バイアス時に電子及びホールの少なくとも一方に対してバリヤとなる多重量子障壁構造又は多重量子井戸構造とを備え、 逆方向バイアス時に前記pn接合部に電子がバンド間トンネリングしうる部分が形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/329 ,  H01L 29/88 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06
FI (4件)：
H01L29/88 S ,  H01L29/91 F ,  H01L29/06 601W ,  H01L29/06 301M
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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