特許
J-GLOBAL ID：201303089030371797
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 大塚 環
, 久野 淑己
, 大阿久 敦子
, 平山 淳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340743
特許番号：特許第4807894号
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板表面に設けられたトランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記シリコン基板表面に設けられたソースまたはドレイン領域と、
前記ゲート電極と交差する方向に延在する配線層が所定間隔を空けて配置される半導体装置であって、
前記ゲート電極の上層に形成される第1の絶縁膜と、
一端面が前記ソースまたはドレイン領域に導通し、かつ、他端面が前記第1の絶縁膜に隣接して設けられる導電性のパッドと、
前記第1の絶縁膜および前記パッドの上層に形成される第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜内に形成され、前記パッドの上面を露出させるコンタクトホールと、
前記コンタクトホールを通って前記パッドと導通するように、前記第2の絶縁膜上と前記コンタクトホール内に形成される前記配線層と、を備え、
前記パッドの他端面は、前記第1の絶縁膜の表面と平坦な平面を形成し、
前記配線層は、前記コンタクトホールに埋め込まれたコンタクト部と前記コンタクト部から上方に突出した配線部を含み、前記ゲート電極が延在する方向の断面において、前記配線部は前記コンタクトホールの幅に比して狭い線幅を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 27/00 301 C
, H01L 21/90 C
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 681 B
