シリコンの製造装置および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：赤塚賢次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333477
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095632
特許番号：特許第5058419号
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉の内部構造にかかわり、反応時析出・付着させてそのまま製品として使用する高純度シリコン製内部構造物を配置し、該高純度シリコン製内部構造物以外に、シリコンに対する離型材として高純度シリカを重金属フリーのバインダーで処理して塗布し、析出・生成物の取り出し分離を容易にすることにより製品シリコン品質を向上し生産性の向上を図る高純度シリコン製造装置。

IPC (1件)：