特許

J-GLOBAL ID：201303089792661229

ガス拡散電極およびその製法

発明者： ザエナル アワルディン ,  大坂 武男 ,  錦 善則
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  ペルメレック電極株式会社
代理人 (5件)： 近藤 利英子 ,  菅野 重慶 ,  岡田 薫 ,  阿部 寛志 ,  鈴木 敏弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-064609
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243119
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

【課題】白金族金属や金属酸化物より安価で電極活性の高いガス拡散電極を提供する。更に電極の劣化も防止され、従って電気化学システムの安定化と電極寿命の長期化を達成できるガス拡散電極を提供する。【解決手段】導電性基体と、該導電性基体の表面に形成された、Ta、Ti、Nb、Zr、Wから選択される少なくとも1種の金属の酸化物を含有する助触媒からなる助触媒層と、該助触媒層上に形成された、Pt、Ir、Ru、Pd、Rh及びAgから選択される少なくとも1種の金属及び/又は金属の酸化物を含有する主触媒の微粒子を含有する触媒層を形成したガス拡散電極。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基体と、該導電性基体の表面に形成された、Ta、Ti、Nb、Zr、Wから選択される少なくとも1種の金属の酸化物を含有する助触媒からなる助触媒層と、該助触媒層上に形成された、Pt、Ir、Ru、Pd、Rh及びAgから選択される少なくとも1種の金属及び/又は金属の酸化物を含有する主触媒の微粒子からなる主触媒層とよりなることを特徴とするガス拡散電極。

IPC (6件)：

H01M 4/90 ,  H01M 4/86 ,  H01M 4/92 ,  B01J 23/648 ,  B01J 37/02 ,  H01M 4/88

FI (9件)：

H01M4/90 B ,  H01M4/86 M ,  H01M4/90 M ,  H01M4/90 X ,  H01M4/92 ,  B01J23/64 102M ,  B01J37/02 301N ,  B01J37/02 301L ,  H01M4/88 K

Fターム (35件)：

4G169AA03 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BC32A ,  4G169BC50A ,  4G169BC51A ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC56B ,  4G169BC60A ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169CC32 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169FA06 ,  4G169FB21 ,  4G169FC08 ,  5H018AA06 ,  5H018BB00 ,  5H018BB07 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE05 ,  5H018EE12 ,  5H018HH05 ,  5H026AA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ガス拡散電極およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-136659   出願人：ペルメレック電極株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (1件)

• ガス拡散電極およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-136659   出願人：ペルメレック電極株式会社, 国立大学法人東京工業大学