特許
J-GLOBAL ID：201303089929432745

発光素子

発明者：
成田 准也

成田 准也 について

, 
合田 貴彦

合田 貴彦 について

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西岡 瑞起

西岡 瑞起 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207813
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069900
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】 コストおよび閾値電圧が上がることなく、静電耐圧特性を向上させた発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に、n側窒化物半導体層、活性層、およびp側窒化物半導体層が順に積層され、前記n側窒化物半導体層上および前記p側窒化物半導体層上に、それぞれn側電極およびp側電極が設けられた発光素子において、前記n側窒化物半導体層が、前記n型電極と接する上部n型コンタクト層と下部n型コンタクト層とで構成されるn型コンタクト層を有し、前記上部n型コンタクト層と前記下部n型コンタクト層との間に、前記上部n型コンタクト層および前記下部n型コンタクト層のいずれとも組成の異なるAlN層が設けられており、前記AlN層と前記n側電極との間の距離が、前記AlN層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする、発光素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、n側窒化物半導体層、活性層、およびp側窒化物半導体層が順に積層され、 前記n側窒化物半導体層上および前記p側窒化物半導体層上に、それぞれn側電極およびp側電極が設けられた発光素子において、 前記n側窒化物半導体層が、前記n型電極と接する上部n型コンタクト層と下部n型コンタクト層とで構成されるn型コンタクト層を有し、 前記上部n型コンタクト層と前記下部n型コンタクト層との間に、前記上部n型コンタクト層および前記下部n型コンタクト層のいずれとも組成の異なるAlN層が設けられており、 前記AlN層と前記n側電極との間の距離が、前記AlN層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする、発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/32 ,  H01L 33/14
FI (2件)：
H01L33/00 186 ,  H01L33/00 150
Fターム (24件)：
5F041AA23 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB36 ,  5F141AA23 ,  5F141AA24 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA58 ,  5F141CA65 ,  5F141CA88 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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