特許
J-GLOBAL ID：200903057537509543
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221372
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058916
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の向上と動作電圧の低減を実現し得る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を提供することを目的とする。【解決手段】 基板と、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型コンタクト層および活性層とを備え、前記n型コンタクト層と前記基板との間と、前記活性層と前記n型コンタクト層との間とのいずれか一方またはその両方に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体積層構造を備えており、前記半導体積層構造は、アンドープのGaNからなる第一のn型層と、前記第一のn型層に接して形成され、かつn型不純物がドープされたAlxGa1-xN(但し、0≦x≦1)からなる第二のn型層と、を少なくとも含む構成とした。
請求項（抜粋）：
基板と、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型コンタクト層および活性層と、を少なくとも有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記n型コンタクト層と前記基板との間と、前記活性層と前記n型コンタクト層との間とのいずれか一方またはその両方に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体積層構造を備えており、前記半導体積層構造の中における電子の面方向の移動度が、前記n型コンタクト層の中における電子の面方向の移動度よりも高いことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA58
, 5F041CA91
, 5F041CA99
, 5F041CB36
, 5F073AA51
, 5F073AA52
, 5F073AA61
, 5F073AA89
, 5F073CA02
, 5F073CA07
出願人引用 (3件)
-
発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-299219
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-176623
出願人：日亜化学工業株式会社
-
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-127997
出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (3件)
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発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-299219
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-176623
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-127997
出願人：日亜化学工業株式会社
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