特許
J-GLOBAL ID：200903045404607528
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137673
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324669
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】電流分散の優れた高効率窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体発光素子20はサファイア基板上21に形成されたn型窒化物半導体層24a、24b及びp型窒化物半導体層28とその間に形成された活性層27を含む。n型窒化物半導体層24a,24bは、上記活性層から遠い順に位置した第1及び第2のn型GaN層24a,24bを含み、上記第1及び第2のn型GaN層24a,24bの間に位置して各界面で2次元電子ガス層を形成するAlxGa1-xN(0<x<1)層23をさらに含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたn型及びp型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を含む窒化物発光素子において、
前記n型窒化物半導体層は、前記活性層から遠い順に位置した第1及び第2のn型GaN層を含み、
前記第1及び第2のn型GaN層との間に位置して各界面において2次元電子ガス層を形成するAlx Ga1-xN(0<x<1)層をさらに含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA03
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CB05
, 5F041CB36
