特許

J-GLOBAL ID：201303090369908232

パワー半導体モジュール、電力変換装置および鉄道車両

発明者： 田中 毅 ,  中山 靖
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-053146
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131774
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】本発明は、既存の1in1タイプと比較してモジュールサイズを大きくすることなく、電力を回生する電力変換装置に使用できる2in1タイプのパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】第1のスイッチング素子Si-IGBTと第1のスイッチング素子Si-IGBTと温度上昇が同等になるようなサイズにワイドバンドギャップ半導体により形成された第1のダイオード素子SiC-FWDとが逆並列に接続されてなる第1の素子対62と、第2のスイッチング素子Si-IGBTと第2のスイッチング素子Si-IGBTと温度上昇が同等になるようなサイズにワイドバンドギャップ半導体により形成された第2のダイオード素子SiC-FWDとが逆並列に接続されてなる第2の素子対64とを備え、第1の素子対62と第2の素子対64とは1つのモジュール内に収容され、2in1モジュールとして構成されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1のスイッチング素子と前記第1のスイッチング素子と温度上昇が同等になるようなサイズにワイドバンドギャップ半導体により形成された第1のダイオード素子とが逆並列に接続されてなる第1の素子対と、 第2のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子と温度上昇が同等になるようなサイズにワイドバンドギャップ半導体により形成された第2のダイオード素子とが逆並列に接続されてなる第2の素子対とを備え、 前記第1の素子対と前記第2の素子対とは1つのモジュール内に収容され、2in1モジュールとして構成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 7/48 ,  H02M 7/219

FI (3件)：

H01L25/04 C ,  H02M7/48 Z ,  H02M7/219

Fターム (16件)：

5H006BB05 ,  5H006CA01 ,  5H006CB01 ,  5H006CB08 ,  5H006DA04 ,  5H006HA08 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC12 ,  5H007CC23 ,  5H007DA03 ,  5H007DA06 ,  5H007EA02 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電力半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-053301   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-169522   出願人：三菱電機株式会社