特許
J-GLOBAL ID：200903092953770790
半導体パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169522
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005593
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】さらなる小型化が図られる半導体パワーモジュールを提供する。【解決手段】基板1の表面に、P側コレクタ電極板4、中継電極板14およびN側コレクタ電極板9が接合形成されている。P側IGBT2aがP側コレクタ電極板4の表面にダイボンディングされている。P側IGBT2aのエミッタ電極5aとN側コレクタ電極板9との間を跨ぐように、P側接続導電体7aが配設されている。P側SiCダイオード1aが、そのP側接続導電体7a上に配設されている。P側SiCダイオード1aのカソード電極とP側コレクタ電極板4とを接続するP側カソード接続用導電体6aが配設されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
主表面を有する基板と、
前記基板の主表面において所定の領域に形成された電極板と、
前記基板の主表面において前記電極板と隔てられた所定の領域に形成された素子間配線板と、
一端子および他の端子を有し、前記一端子を前記電極板に接触させて前記電極板上に配設されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記他の端子と前記素子間配線板との間を跨ぐように配設され、前記他の端子と前記素子間配線板とを電気的に接続する接続導電体と、
第1の極および第2の極を有し、前記第1の極を前記接続導電体に接触させて前記接続導電体上に配設されたSiCダイオード素子と、
前記SiCダイオード素子の前記第2の極と前記電極板とを電気的に接続する他の接続導電体と
を備えた、半導体パワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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