特許
J-GLOBAL ID：201303091318076611

基板処理装置および基板処理方法

発明者：
藤田 恵理

藤田 恵理 について

, 
辻川 裕貴

辻川 裕貴 について

, 
藤谷 佳礼

藤谷 佳礼 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (3件)： 松阪 正弘 ,  田中 勉 ,  井田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-211889
公開番号（公開出願番号）：特開2013-074090
出願日： 2011年09月28日
公開日（公表日）： 2013年04月22日
要約：
【課題】SPM処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。【解決手段】基板処理装置1では、基板回転機構5により回転する基板9の上面91に向けて処理液供給部3から液体が吐出される。処理液供給部3は、硫酸供給部31、過酸化水素水供給部32、混合液生成部33およびノズル34を備える。基板処理装置1では、硫酸供給部31により加熱された硫酸がノズル34から基板9に供給され、基板9に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部31からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部32からの過酸化水素水とが混合液生成部33にて混合されてSPM液が生成され、SPM液が基板9に供給されてSPM処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、SPM処理の際に、基板9上に供給された高温のSPM液の温度低下を抑制することができる。その結果、SPM処理の効率を向上することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を処理する基板処理装置であって、 基板を保持する基板保持部と、 加熱された硫酸を供給する硫酸供給部と過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給部とを有する処理液供給部と、 前記処理液供給部を制御することにより、過酸化水素水の供給を停止した状態で、加熱された硫酸を前記基板に供給して前記基板を所定の温度まで加熱する予備加熱処理を行った後、加熱された硫酸と過酸化水素水とを前記処理液供給部により混合しつつ前記基板の主面に供給して前記基板に対するSPM処理を行う制御部と、 を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
H01L21/304 648H ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B
Fターム (33件)：
5F146MA03 ,  5F146MA06 ,  5F146MA10 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC26 ,  5F157BB12 ,  5F157BB22 ,  5F157BB32 ,  5F157BB38 ,  5F157BB66 ,  5F157BC53 ,  5F157BE23 ,  5F157BE43 ,  5F157BH18 ,  5F157CA03 ,  5F157CA05 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CE03 ,  5F157CE10 ,  5F157CE37 ,  5F157CF34 ,  5F157CF66 ,  5F157CF72 ,  5F157DA21 ,  5F157DB02 ,  5F157DB03 ,  5F157DB17 ,  5F157DB37
引用特許：
審査官引用 (2件)

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