特許
J-GLOBAL ID：201303091428751772
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-136211
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004848
出願日： 2011年06月20日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：
【課題】封止樹脂の成形性と放熱性を高いレベルで両立させた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10は、アイランド12と、アイランド12の上面に実装された半導体素子20と、外部接続端子として機能するリード14と、これらを一体的に被覆して機械的に支持する封止樹脂15とを主要に備えた構成となっている。更に、封止樹脂15は、半導体素子20等を直に樹脂封止する第1封止樹脂16と、この第1封止樹脂16を更に封止する第2封止樹脂18から構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アイランドと、
リードと、
前記アイランドの主面に実装されて前記リードと接続された半導体素子と、
前記アイランドと前記半導体素子とを被覆する第1封止樹脂と、
前記アイランドの下面を被覆する部分の前記第1封止樹脂を露出させた状態で、前記第1封止樹脂を被覆する第2封止樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 23/34
H01L23/30 B
, H01L23/34 B
4M109AA01
, 4M109CA21
, 4M109EB12
, 4M109EE05
, 5F136DA01
, 5F136DA27
, 5F136FA13
, 5F136FA14
, 5F136FA63
