応力を加えたSiN膜用アミノ・ビニルシラン前駆体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 小林良博 , 蛯谷厚志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-214658
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016859
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長(PECVD)窒化シリコン(SiN)及び炭窒化シリコン(SiCN)薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式:[RR1N]xSiR3y(R2)z{式中、x+y+z=4、x=1〜3、y=0〜2、及びz=1〜3であり;R、R1、及びR3が、水素、C1〜C10アルカン、アルケン、C4〜C12芳香族であり得;各R2が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。}から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体から膜を堆積するステップを含む、窒化シリコン(SiN)及び炭窒化シリコン(SiCN)薄膜のプラズマ化学気相成長(PECVD)における内部圧縮応力の増強方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42 , C23C 16/50 , C07F 7/10

FI (4件)：

H01L21/316 X , C23C16/42 , C23C16/50 , C07F7/10 K

Fターム (29件)：

4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ42 , 4H049VR21 , 4H049VS39 , 4H049VU25 , 4H049VV22 , 4H049VW02 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030BA29 , 4K030BA40 , 4K030BA41 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BC08 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (9件)

有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-115409 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
炭化窒化珪素膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-122536 出願人：三井化学株式会社
薄膜堆積装置、薄膜堆積方法及び化合物薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-193747 出願人：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学

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