特許
J-GLOBAL ID：201303091944538899

ヘテロアセン誘導体、テトラハロターフェニル誘導体及びそれらの製造方法

発明者：
渡辺 真人

渡辺 真人 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-064928
公開番号（公開出願番号）：特開2013-189434
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体、及びそれを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜の提供。【解決手段】一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体。(式中、置換基R1およびR2は、水素原子を示し、T1およびT2は同一又は異なって、硫黄、酸素を示し、l及びmは、各々0であり、環A及びBは同一又は異なって、芳香環等を示す。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されることを特徴とするヘテロアセン誘導体。
IPC (5件)：
C07D 495/04 ,  C07D 495/22 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (5件)：
C07D495/04 101 ,  C07D495/22 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310J
Fターム (26件)：
4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB03 ,  4C071BB07 ,  4C071BB08 ,  4C071CC22 ,  4C071CC24 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071HH01 ,  4C071JJ01 ,  4C071KK11 ,  4C071LL05 ,  4H039CA41 ,  4H039CD20 ,  4H039CD90 ,  4H048AA01 ,  4H048AB78 ,  4H048VA77 ,  4H048VB10 ,  4H050AA01 ,  4H050AB78 ,  4H050WA15 ,  4H050WA26
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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