有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275402
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088222
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】溶剤溶解性が向上した有機半導体材料を提供し、該有機半導体材料を塗布することによって有機半導体膜が形成可能であり、得られた有機半導体膜を用いて、キャリア移動度が高い、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び、該デバイスまたは該トランジスタを具備する有機EL素子を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。【化1】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (4件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L29/78 618B

Fターム (35件)：

4H049VN01 , 4H049VP02 , 4H049VQ62 , 4H049VR24 , 4H049VU25 , 4H049VW02 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (10件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
ポリ(ベンゾジチオフェン)
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-301005 出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
ダイオード素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316710 出願人：松下技研株式会社

全件表示

審査官引用 (3件)

ポリ(ベンゾジチオフェン)
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-301005 出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
新規なベンゾジカルコゲノフェン誘導体、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-397788 出願人：独立行政法人科学技術振興機構
モノマー、オリゴマーおよびポリ(3-アルキニルチオフェン)ならびにそれらの電荷移動材料としての使用
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-322784 出願人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング

引用文献：

審査官引用 (3件)

前のページに戻る